据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“包括导电结构的半导体器件“，公开号CN117219566A，申请日期为2023年3月。
专利摘要显示，本公开提供了半导体器件及其制造方法。例如，半导体器件可以包括介电结构、以及第一导电结构和第二导电结构。介电结构可以包括围绕第一导电结构的第一介电层和围绕第二导电结构的第二介电层。第一介电层可以包括在第一导电结构之间的第一介入物。第二介电层可以包括在第二导电结构之间的第二介入物。第一介入物在第一方向上的宽度可以在第二方向上从第一介入物的顶表面朝向第一介入物的底表面减小。第二介入物在第一方向上的宽度可以在第二方向上从第二介入物的顶表面朝向第二介入物的底表面增加。第一介电层和第二介电层可以包括不同的介电材料。
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